[신소재 기초experiment(실험)] 산화공정
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작성일 25-11-21 10:17본문
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③ Si wafer를 B.O.E에 넣어 10sec동안 etching한다.
theory
: 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다
SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다.
산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서 Si와반응(산화)하여 SiO2 가 형성된다
다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작…(drop)
① H2SO4 와 H2O2 를 4:1로 만든 용액에 Si wafer를 100℃, 1min 동안 담가 놓는다.
② D.I (de-ionized) water로 충분히 헹군다.
② Si wafer를 furna
실험과제/기타
[신소재 기초experiment(실험)] 산화공정
순서
설명
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다.
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タイトル(제목) : 산화 공정 (Oxidation)
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다.