[신소재 기초實驗(실험)] 산화공정
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작성일 24-01-02 10:57
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theory : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다된다.
산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서 Si와reaction response(산화)하여 SiO2 가 형성된다된다.[신소재 기초실험] 산화공정 , [신소재 기초실험] 산화공정기타실험과제 , [신소재 기초실험] 산화공정
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[신소재 기초實驗(실험)] 산화공정
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タイトル(제목) : 산화 공정 (Oxidation)
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다.
① furnace를 1200℃까지 올린다.
② D.I (de-ionized) water로 충분히 헹군다.
② Si wafer를 furna
설명
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실험과제/기타
다. 다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작…(drop)
